Institute of High Pressure Physics

Jak rośnie kryształ GaN ?
Interface GaN-Ga w promieniach X
Physical Review Letters, Editor’s Suggestion

Rysunek, Julita Smalc-Koziorowska, IWC PAN

W wyniku współpracy Radboud University, European Synchrotron Facility (ESRF), DESY-Nanolab i naszego Instytutu powstał ciekawy artykuł na temat struktury atomowej powierzchni kryształu GaN rosnącego z roztworu azotu w ciekłym galu. Co ciekawe, początkowo, w warstwie powierzchniowej rosnącego kryształu brakuje jednej czwartej atomów galu, a nie azotu jakby się mogło wydawać na pierwszy rzut oka. Bardzo interesujące jest również warstwowe uporządkowanie warstw atomów galu w sąsiedztwie powierzchni wzrostu.

Artykuł został opublikowany w Physical Review Letters (editor’s suggestion):

https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.124.086101

a także ciekawie zaanonsowany na stronie DESY:

http://www.desy.de/news/news_search/index_eng.html?openDirectAnchor=1788&