Institute of High Pressure Physics

W dniu 14 października o godzinie 10.15  na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego (Pasteura 5; sala 006) Michał Boćkowski znany również jako Bocko-sensei wygłosi wykład pt. Wzrost objętościowych kryształów azotku galu. Podczas wykładu omówione i porównane zostaną trzy podstawowe metody krystalizacji objętościowego azotku galu (GaN): wzrost z fazy gazowej - Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), krystalizacja z roztworu gal-sód (tzw. metoda sodowa) oraz wzrost w nadkrytycznym amoniaku (metoda amonotermalna). Przedstawione zostaną wady i zalety omawianych metod oraz podstawowe własności otrzymywanego materiału. Wydaje się, że synergia zalet trzech prezentowanych metod stwarza nowe, atrakcyjne możliwości wydajnej produkcji objętościowych kryształów GaN. Zostanie to pokazane na przykładzie krystalizacji HVPE na zarodziach otrzymywanych metodą amonotermalną.

Serdecznie zapraszamy!