Konferencja IWN 2016 - udział IWC PAN
Monday, 26 September 2016 07:32 |
W dniach 2-7 października 2016, w Orlando (Floryda) odbędzie się jedna z dwóch głównych konferencji na temat półprzewodników azotkowych, IWN 2016 (International Workshop on Nitride Semiconductors). Konferencja gromadzi około 1000 uczestników, odbywa się co dwa lata i cyklicznie krąży pomiędzy Europą, Ameryką i Azją. Dotyczy zarówno opisu otrzymywania jak i fundamentalnych własności fizycznych kryształów, struktur kwantowych, przyrządów optoelektronicznych i elektronicznych wykorzystujących GaN, AlN, InN oraz ich stopy.
Instytut Wysokich ciśnień, PAN ma znaczący udział w organizacji tej konferencji oraz będzie wyraźnie widoczny podczas jej przebiegu.
Izabella Grzegory i Izabela Gorczyca zostały zaproszone do Komitetu Programowego IWN 2016. Obie Panie będą kierowały sympozjami na temat odpowiednio wzrostu kryształów objętościowych oraz teorii. Tadeusz Suski należy do Międzynarodowego Komitetu Doradczego IWN.
Znaczna ilość pracowników Instytutu przedstawi referaty na tej Konferencji. Michał Boćkowski został zaproszony do wygłoszenia referatu zaproszonego na temat wzrostu kryształów GaN. Pozostali „prezenterzy” to: Iza Grzegory, Iza Gorczyca, Julita Smalc-Koziorowska, Anna Kafar, Ewa Grzanka, Agata Bojarska, Grzegorz Staszczak, Grzegorz Muzioł, Szymon Grzanka, Szymon Stańczyk, Krzysztof Gibasiewicz, Tadeusz Suski, Piotr Perlin, Henryk Turski, Marcin Siekacz i Tomasz Sochacki.
