Artykuł o naszych kryształach w Compound Semiconductor
Środa, 13 Lipiec 2016 12:54 |
W bieżącym numerze czasopisma Compound Semiconductor zamieszczono artykuł autorstwa naszego młodego pracownika Małgorzaty Iwińskiej pt. Slashing the cost of the GaN substrate (str. 46). Tekst wyróżniono anonsem na okładce numeru.
Artykuł jest wynikiem realizacji grantu AGATE, w którym nasz Instytut współpracuje między innymi z takimi firmami jak Soitec i Plansee.
