![PL flag Polish flag](/images/stories/loga/znak_barw_rp_pionowa_szara_ramka_rgb.jpg)
![EU flag EU flag](/images/stories/loga/logo_ue_rgb_pion_pl.jpg)
- Warszawska Szkoła Doktorska
- Studia doktoranckie
Mechanizmy powstawania dyslokacji przechodzących w warstwach epitaksjalnych Ga(InAl)N – publikacja w Scientific Reports
![PostDateIcon](/templates/joomla_tranquility/images/PostDateIcon.png)
Julita Smalc-Koziorowska („corresponding author”) i Joanna Moneta z NL-12, wraz z Kolegami z Grecji, Norwegii i Algierii, w pracy opublikowanej w tych dniach, w Scientific Reports (140 pkt MNiSW), wyjaśniają mechanizmy powstawania najważniejszych defektów strukturalnych w sieci krystalicznej warstw epitaksjalnych azotków III-N. Modele nukleacji dyslokacji przechodzących konstruowane są na podstawie szczegółowej analizy struktur warstwowych metodami wysokorozdzielczej mikroskopii elektronowej oraz obliczeń teoretycznych. Badane struktury były otrzymane w IWC PAN metodą MBE z plazmowym źródłem azotu.
Julita Smalc-Koziorowska („corresponding author”) i Joanna Moneta z NL-12, wraz z Kolegami z Grecji, Norwegii i Algierii, w pracy opublikowanej w tych dniach, w Scientific Reports (140 pkt MNiSW), wyjaśniają mechanizmy powstawania najważniejszych defektów strukturalnych w sieci krystalicznej warstw epitaksjalnych azotków III-N. Modele nukleacji dyslokacji przechodzących konstruowane są na podstawie szczegółowej analizy struktur warstwowych metodami wysokorozdzielczej mikroskopii elektronowej oraz obliczeń teoretycznych. Badane struktury były otrzymane w IWC PAN metodą MBE z plazmowym źródłem azotu.