Archiwum aktualności

Rekrutacja na stanowisko doktoranta/doktorantki w projecie OPUS

Zapraszamy do zapoznania się z warunkami oferty stypendium dla doktoranta/doktorantki w projekcie OPUS "Monolityczna integracja nadprzewodników i półprzewodników na platformie azotkowej" Termin składania dokumentów upływa 27.11.2023.

Domieszkowanie germanem kryształu GaN

Miło nam poinformować, że artykuł "Rola of Metallic Adlayer in Limiting Ge Incorporation into GaN" został opublikowany w Materials i jest dostępny online. Opisuje on domieszkowanie germanem kryształu GaN metodą MBE i opisuje rolę warstwy metalicznej na powierzchni w czasie epitaksji.

Wyróżnienie Rzeczpospolitej Cyfrowej

dla dr Marty Sawickiej „Za szczególny wkład w rozwój polskiej transformacji cyfrowej w roku 2021 za badania nad laserami”.

Foto. Mariusz Szachowski

Trawienie elektrochemiczne GaN:Mg opublikowane w Acta Materialia Gratulacje dla Natalii Fiuczek!

Dobre zrozumienie i powtarzalność procesu trawienia elektrochemicznego (ECE) GaN typu n sprawiły, że technika ta stała się interesującą metodą kontroli współczynnika załamania światła warstw GaN poprzez zmianę ich porowatości. Jednak w przypadku GaN typu p, wydaje się, że brak modelu i zrozumienia procesu stanowiły istotną przeszkodę w demonstracji trawienia ECE GaN p-typu w kontrolowany sposób. W pracy N. Fiuczek et al. „Electrochemical etching of p-type GaN using a tunnel junction for efficient hole injection”, opublikowanej ostatnio w prestiżowym czasopiśmie Acta Materialia autorzy tłumaczą mechanizm trawienia p-typu oraz pokazują, że zastosowanie złącza tunelowego pozwala na bardzo efektywne wstrzykiwanie nośników potrzebnych do trawienia.

W pracy po raz pierwszy zaprezentowano trawienie elektrochemiczne warstw GaN domieszkowanych na typ p przy stałym napięciu i bez użycia zewnętrznego źródła światła. Dzięki użyciu złącza tunelowego uzyskano jednorodne i doskonale kontrolowalne trawienie warstw GaN oraz InGaN domieszkowanych Mg. Co niezwykle interesujące, zakres napięć, dla których otrzymano warstwy porowate, wynosił tylko ~0.4 V. Progowe napięcia trawienia (2.2 V) oraz napięcia, przy których uzyskano silne trawienie (2.4 V), są znacznie niższe niż dla warstw GaN domieszkowanych na typ n o tej samej koncentracji domieszek. W pracy pokazano również, że transport dziur w materiale nie był ograniczony aż do 200 µm odległości w płaszczyźnie. Za pomocą zaproponowanego modelu trawienia p-typowych warstw GaN wyjaśniono jak zachodzi ten proces w układzie złącza tunelowego użytego jako warstwy wstrzykującej nośniki do warstwy trawionej.

COST “European Network for Innovative and Advanced Epitaxy” - OPERA

W dniach 27-28.09.2021 odbyło się pierwsze spotkanie "kick-off meeting" międzynarodowego europejskiego projektu COST “European Network for Innovative and Advanced Epitaxy” - OPERA. Projekt współtworzą zespoły badawcze zajmujące się epitaksją z 33 krajów, w tym Polski. Badacze współpracujący w ramach COST zajmują się epitaksją różnych materiałów, od klasycznych półprzewodników, przez materiały tlenkowe aż po materiały dwuwymiarowe. Polskę w projekcie COST reprezenują dr hab. Wojciech Pacuski oraz dr inż. Marta Sawicka z naszego Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. Więcej informacji o celach projektu i partnerach na stronie: https://www.cost.eu/actions/CA20116/.

Projekt BANANO dr inż. Marty Sawickiej - najlepszy

Z radością zawiadamiamy, że projekt naszej koleżanki dr inż. Marty Sawickiej znalazł się na pierwszym miejscu listy rankingowej w konkursie SMALL GRANT SCHEME, ogłoszonej 7.05.2021 przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju

Projekt „Buried periodic Arrays of NANOchannels for single-frequency nitride lasers” będzie miał na celu wykorzystanie synergii kilku zaawansowanych technologii w celu otrzymania laserów opartych na GaN o jednomodowym widmie (ang. distributed feedback laser diodes - DFB LDs). Innowacyjność zaproponowanego podejścia polega na umieszczeniu siatki dyfrakcyjnej wewnątrz struktury. Schemat przyrządu prezentuje grafika poniżej (autor Mateusz Hajdel).

Azotkowe złącza tunelowe o rekordowo niskim oporze

Mikołaj Żak wraz z kolegami opublikował w Physical Review Applied interesującą pracę dotyczącą azotkowych złącz tunelowych wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych Tunnel Junctions with a Doped (In,Ga)N Quantum Well for Vertical Integration of III-Nitride Optoelectronic Devices. W pracy zaproponowano sposób wytwarzania domieszkowanych złącz tunelowych GaN:Mg/InGaN:Mg+/InGaN:Si+/GaN:Si o rekordowo niskim oporze szeregowym zachowując wysoką jakość wytwarzanych struktur. Wyniki eksperymentalne mierzonego prądu tunelowania zostały poparte obliczeniami w modelu k·p Kane’a z uwzględnieniem realistycznego rozkładu pól elektrycznych w strukturze złącza. Istotnym elementem w wytłumaczeniu zgodności modelu teoretycznego z wynikami eksperymentalnymi efektów tunelowania była analiza struktury pasma walencyjnego GaN i przyjęcie poprawnej masy efektywnej dla dziur biorących udział w tunelowaniu.

Oferta stypendium dla doktoranta

01.12.2021. Zapraszamy doktorantów do pracy naukowej w ramach projektu NCN OPUS realizowanego w grupie MBE. Szczegółowe warunki oferty znajdują się w bazie ofert pracy w projektach NCN: Doktorant-stypendysta „Growth and characterization of NbN/GaN superconducting bolometers”.

Stypendia dla doktorantów w laboratorium MBE

Informujemy, że 16.09.2020 rozstrzygnięte zostały konkursy na stypendia w projektach NCN SONATA. Stypendium w projekcie NCN SONATA "Obejście pól piezoelektrycznych w heterostrukturach azotków grupy III – droga do rozwiązania problemu "green gap"", którego kierownikiem jest dr inż. Grzegorz Muzioł uzyskał mgr inż. Mikołaj Żak. Stypendium w projekcie NCN SONATA "Nanoporowaty GaN – nowa platforma dla realizacji struktur kwantowych", którego kierownikiem jest dr inż. Marta Sawicka, uzyskała pani mgr inż. Natalia Fiuczek. Gratulujemy!

Dwie oferty stypendiów dla doktorantów

02.09.2020. Zapraszamy doktorantów do pracy naukowej w ramach projektów NCN SONATA realizowanych w grupie MBE. Szczegółowe warunki ofert znajdują się w bazie ofert pracy w projektach NCN:

  1. Doktorant-stypendysta „Quantum structures on nanoporous GaN” w projekcie SONATA
  2. Doktorant-stypendysta “Fizyka przejść optycznych z udziałem stanów wzbudzonych w heterostrukturach InGaN/GaN” w projekcie SONATA

Zgodnie z regulaminem NCN, warunkiem uzyskania finansowania jest posiadanie statusu doktoranta szkoły doktorskiej lub uczestnika studiów doktoranckich.

Nowe projekty

18.05.2020 NARODOWE CENTRUM NAUKI ogłosiło wyniki trzech flagowych konkursów OPUS, PRELUDIUM i SONATA. Laureatami obecnej edycji zostało aż czterech członków naszej grupy. Dr inż. Marta Sawicka będzie realizować projekt SONATA „Nanoporowaty GaN – nowa platforma dla realizacji struktur kwantowych” (panel ST5), a dr Grzegorz Muzioł będzie realizować projekt SONATA „Obejście pól piezoelektrycznych w heterostrukturach azotków grupy III – droga do rozwiązania problemu „green gap” (panel ST3). Mgr inż. Mateusz Hajdel będzie kierownikiem projektu PRELUDIUM „Wpływ wbudowanych pól piezoelektrycznych na sprawność azotkowych diod laserowych” (panel ST7), a mgr inż. Mikołaj Chlipała kierownikiem projektu PRELUDIUM „Monolitycznie zintegrowany tranzystor bipolarny z LED w systemie azotków III grupy” (panel ST7). Przed nami nowe wyzwania naukowe.

Obrony prac magisterskich Julii Sławińskiej i Natalii Fiuczek

09.09.2019 Julia Sławińska i Natalia Fiuczek obroniły z wyróżnieniem prace magisterskie realizowane w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN w naszym laboratorium. Badania były częścią projektów Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej: "Tunnel junction and its applications for GaN based optoelectronics" kierownego przez prof. Czesława Skierbiszewskiego oraz "Development of high quality InAlN – the road to strain-free nitride lasers" kierowanego przez dr inż. Martę Sawicką. Gratulujemy uzyskanych tytułów!


Nagroda dla Julii Sławińskiej za najlepszy plakat na konferencji 13th International Conference of Nitride Semiconductors"

24.07.2019 Julia Sławińska jest magistrantką w grupie prof. Czesława Skierbiszewskiego (NL 14) Instytutu Wysokich Ciśnień. Na konferencji przedstawiła plakat pt. "Arrays of Nitride MicroLEDs with Tunnel Junctions Grown by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy". Laureatka jest zaangażowana w realizację projektu TEAM-TECH POIR.04.04.00-00-210C/16-00 Fundacji na Rzecz Nauki Polskiej współfinansowanym przez środki Uni Europejskiej. Więcej informacji.

Obrona pracy magisterskiej Mikołaja Chlipała

16.07.2019 Gratulujemy obrony z wyróżnieniem mgr inż. Mikołaja Chlipały pracy pod tytułem "Mechanizmy elektroluminescencji w temperaturach kriogenicznych azotkowych diod ze złączami tunelowymi wytwarzanych metodą epitaksji z wiązek molekularnych". stypendyście Fundacji na rzecz Nauki Polskiej, studentowi w projekcie TEAM-TECH project.

Prof. Czesław Skierbiszewski - chairman of "Jaszowiec 2020"

14.06.2019 Program Comittee of "International School & Conference on the Physics of Semiconductors" nominated Prof. Czesław Skierbiszewski to be the chairman of the next "Jaszowiec" conference.


Scholarship for a Master student

14.06.2019 Students enrolled in Master Programm are welcome to apply for a sholarship within the HOMING project "Polarity engineering in Nitride heterostructures" financed by the Foundation for Polish Science. Primary Investigator (PI) - dr Henryk Turski. Offer details and required application documents can be found on Euraxess webpage. Application deadline os 14/06/2019 12:00 (Warsaw/Athens time).

Najlepszy referat Natalii Fiuczek

W dniach 18-19 maja 2019 na Uniwersytecie Warszawskim odbyła się IV edycji Ogólnopolskiej Konferencji Zaawansowane Materiały i Nanotechnologia. Swoje wystąpienia prezentowali na niej studenci z Politechniki Gdańskiej realizujący badania w Instytucie Wysokich Ciśnień PAN w naszym laboratorium MBE - Natalia Fiuczek, Julia Sławińska oraz Mikołaj Chlipała. Wśród wszystkich prezentujących najlepszy referat w kategorii fizyka doświadczalna wygłosiła Natalia Fiuczek. Gratulacje!

Nasi doktoranci wyróżnieni w konkursie

Z radością informujemy, że mgr inż. Mikołaj Żak oraz mgr inż. Mateusz Hajdel otrzymali wyróżnienie w XXVII edycji Ogólnopolskiego Konkursu im. Adama Smolińskiego na najlepszą pracę dyplomową z dziedziny optoelektroniki organizowanego przez Polski Komitet Optoelektroniki SEP. Obie prace realizowane przy współpracy Politechniki Gdańskiej oraz laboratorium MBE Instytutu Wysokich Ciśnień PAN. GRATULUJEMY!

Mgr inż. Mateusz Hajdel laureatem programu stypendialnego "100 na 100"

30.11.2018 Z dumą informujemy, że mgr inż. Mateusz Hajdel został laureatem programu stypendialnego Fundacji Lotto "100 na 100" im. Haliny Konopackiej i Ignacego Matuszewskiego. Realizowany z okazji setnej rocznicy odzyskania przez Polskę niepodległości program to stypendia dla setki najlepszych studentów, mające umożliwić im dalszy rozwój oraz pogłębianie wiedzy również poza własną dyscypliną. Więcej informacji o programie na stronie: www.fundacjalotto.pl/100stypendiow

Nowy projekt FNP - oferta stypendium dla doktoranta

Zapraszamy doktorantów do aplikowania o stypendium w ramach projektu HOMING "Polarity engineering in Nitride heterostructures", którego kierownikiem jest dr Henryk Turski. Termin nadsyłania zgłoszeń 29.10.2018 godz. 12:00. Szczegóły w ofercie stypendium pod tym linkiem: 1_oferta-pracy_FNP_IWC_Homing.pdf

Gratulujemy stypendiów Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego

Z radością informujemy, że dr inż. Grzegorz Muzioł oraz dr Henryk Maciej Turski z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN otrzymają stypendia naukowe Ministra Nauki i Szkolnictwa Wyższego. Znaleźli się oni w gronie 181 wybitnych młodych naukowców prowadzących wysokiej jakości badania i cieszących się imponującym dorobkiem naukowym.

Nowi stypendyści w Laboratorium MBE

01.09.2018 Gratulujemy studentom Politechniki Gdańskiej otrzymania stypendiów w ramach projektów Fundacji na rzecz Nauki Polskiej. Mikołaj Chlipała i Julia Sławińska będą pracować w projekcie TEAM-TECH "Tunnel junction and its applications for GaN based optoelectronics" kierowanym przez prof. dr hab. Czesława Skierbiszewskiego. Natalia Fiuczek będzie pracować w projekcie POWROTY "Development of high quality InAlN - the road to strain-free nitride lasers" - kierownik dr inż. Marta Sawicka.

Dr Grzegorz Muzioł laureatem IX edycji programu LIDER

13.08.2018 Dr inż. Grzegorz Muzioł został laureatem IX edycji programu LIDER organizowanego przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju. Złożony przez niego projekt o tytule "Diody laserowe z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym oparte na azotku galu" znalazł się na liście projektów rekomendowanych do finansowania.

Dr Henryk Turski laureatem programu HOMING

Fundacja na rzecz Nauki Polskiej rozstrzygnęła 02.08.2018 piąte konkursy w programach HOMING i POWROTY. Wśród laureatów programu HOMING jest dr Henryk Turski z naszego Laboratorium MBE, który będzie realizował projekt pt. "Inżynieria polarności w heterostrukturach azotkowych". GRATULUJEMY!

Politechnika Gdańska partnerem projektu TEAM-TECH

Instytut Wysokich Ciśnień PAN i Politechnika Gdańska, Wydział Fizyki i Matematyki Stosowanej, reprezentowany przez profesora Wojciecha Sadowskiego, rozpoczynają współpracę w ramach projektu TEAM-TECH.

Obrona pracy magisterskiej Mateusza Hajdla

16.07.2018 Gratulujemy obrony z wyróżnieniem mgr inż. Mateuszowi Hajdlowi - stypendyście Fundacji na rzecz Nauki Polskiej, studentowi w projekcie TEAM-TECH.

Stypendia dla studentów w Laboratorium MBE
Dr. inż. Marta Sawicka laureatką programu POWROTY 4/2017

Fundacja na rzecz Nauki Polskiej rozstrzygnęła czwarte konkursy w programach HOMING i POWROTY. Wśród laureatów programu POWROTY 4/2017 znalazła się dr inż. Marta Sawicka z naszego Zespołu.
Jej projekt pt. Rozwój wysokiej jakości InAlN - droga do laserów azotkowych wolnych od naprężeń ma na celu zrozumienie mikroskopowego mechanizmu wzrostu i znalezienie optymalnych warunków do wytwarzania wysokiej jakości warstw InAlN o składzie 83% Al i 17%In, który jest dopasowany sieciowo do GaN. Otrzymanie wysokiej jakości InAlN metodą epitaksji z wiązek molekularnych z plazmą azotową (PAMBE) będzie kluczowe dla poprawy parametrów obecnie rozwijanych azotkowych diod laserowych o emisji krawędziowych i pozwoli na uzyskanie diod o emisji powierzchniowej (VCSELs), obecnie niedostępnych na rynku.
Projekt będzie realizowany we współpracy z grupą prof. E. Calleja z Politechniki w Madrycie oraz grupą fizyków teoretyków Prof. M. Załuskiej-Kotur z Instytutu Fizyki PAN. Wyniki otrzymane w ramach projektu będą przetestowane na strukturach diod laserowych, które zostaną przygotowane we współpracy z firmą TopGaN.