prof. dr hab. Czesław Skierbiszewski

LIDER GRUPY MBE

Profesor Czesław Skierbiszewski jest twórcą i liderem grupy badawczej zajmującej się epitaksją z wiązek molekularnych (MBE) w Instytucie Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk. Ukończył Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego w 1984 roku. Po doktoracie, który obejmował badania wysokociśnieniowe HgSe, zajmował się badaniami półprzewodników z rodziny GaAs domieszkowanych azotem, tzw. “dilluted nitrides”. Do jego najważniejszych osiągnięć w tej dziedzinie należy wyznaczenie zależności masy efektywnej w InGaNAs od zawartości azotu i od koncentracji elektronów. Od 2000 roku zajmuje się badaniami warstw i struktur wytwarzanych na podłożach GaN. Jest autorem pierwszej w Europie niebieskiej azotkowej diody laserowej wytworzonej techniką MBE, którą zademonstrował w 2001 roku. Wytworzył także m.in. diody laserowe o bardzo długim czasie pracy 15 000 h oraz pierwsze diody laserowe o konstrukcji bez glinu. Jest autorem ponad 140 publikacji w renomowanych czasopismach z dziedziny fizyki i inżynierii materiałowej (h-index 22).

ORCID: 0000-0002-4718-4607

Zainteresowania badawcze

Profesor Czesław Skierbiszewski prowadzi badania nad zrozumieniem fizyki wzrostu warstw azotkowych w metodzie MBE oraz udoskonaleniem konstrukcji diod laserowych i elektroluminescencyjnych. Celem jest wydłużenie długości fali emitowanego światła i poprawa parametrów optycznych i elektrycznych tych urządzeń. Profesor Skierbiszewski jest ekspertem w dziedzinie epitaksji z wiązek molekularnych, a dzięki ścisłej współpracy z firmą TopGaN, wiele proponowanych przez niego rozwiązań jest wdrażanych do produkcji.

Projekty badawcze:

• 2019 – 2022 Monolityczna integracja nadprzewodników i półprzewodników na platformie azotkowej – Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Nauki w ramach programu OPUS
• 2017 – 2021 Złącza tunelowe i ich zastosowanie dla optoelektroniki opartej o azotek galu - Program TEAM TECH finansowany przez Fundację na rzecz Nauki Polskiej
• 2017 – 2019 Wykonanie podłoży polarnych z azotku galu o azotowej stronie powierzchni czynnej oraz określenie jej przydatności w epitaksji Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Nauki w ramach Programu Badań Stosowanych.
• 2014 – 2017 „Terahertz plasma instability in nitride nanostructures” – Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Nauki
• 2015 – 2019 Short Period Superlattices for Rational (In,Ga)N SPRInG -The EU Framework Programme for Research and Innovation, Horizon 2020,
• 2015 – 2018 „Gallium nitride substrates with nitrogen polarity and its applications in epitaxy” – Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju
• 2012 2015 „TERA-MIR Radiation: Materials, Generation, Detection and Applications” – grant EU COST MP1204
• 2009 – 2013 „Surface engineered InGaN heterostructures on N-polar and nonpolar GaN substrates for green light emitters” SINOPLE – grant EU FP7-PEOPLE-IAPP-2008
• 2012 – 2015 Pl „ Green and blue laser nanostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy on bulk gallium nitride substrates” grant Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju - INNOTECH
• 2008 – 2009 “Visible InGaN Injection Lasers” (VIGIL), grant US DARPA BAA
• 2008 – 2013 „ Fundaments of developments of nitride based emitters for the laser projectors” – Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Badań I Rozwoju - Inicjatywa Technologiczna I
• 2004 – 2007 „Nitride Intersubband Devices at Telecommunication Wavelengths” – NITWAVE, european grant, STREP, FP6
• 2006 – 2008 „ Methods of manufacturing and properties of InGaN layers and InyGa1 yN/InxGa1 xN quantum wells with high In composition on bulk GaN substrates. Nitride based emitters of light in the range 420-550 nm” – Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Nauki
• 2001 – 2003 Pl research grant „ Experimental investigations of the band structure and electron properties of InyGa1-yAs1-xNx compounds” – Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Nauki

Kontakt

tel. +48 22 876 0351
lab. +48 22 876 0324
email: czeslaw@unipress.waw.pl

ORCID: 0000-0002-4718-4607