Institute of High Pressure Physics

Prof. Wojtek Knap, szef Międzynarodowej Agendy Badawczej CENTERA działającej w IWC PAN otrzymał z Europejskiej Rady ds. Badań Naukowych (ERC), pozytywne recenzje swojego projektu Towards On-Chip Plasmonic Amplifiers Of THz Radiation o akronimie TERAPLASM, w konkursie Advanced Grants. Został zaproszony do II etapu konkursu, w ramach którego będzie prezentował swój projekt przed Komisja Ekspertów panelu PE3.

Znając talent Wojtka w przekonującym przekazywaniu naukowych treści, szacujemy prawdopodobieństwo sukcesu jako BARDZO WYSOKIE !

Trzymamy kciuki!

Szanowni Państwo/ Dear Ladies and Gentelmen,

the next seminar in the series of IHPP PAS Seminars on Physics and Technology will be given by Prof. Lioz Etgar from the Institute of Chemistry at the Hebrew University. Prof. Lioz Etgar was the first to demonstrate the possibility to work with the perovskite as light harvester and hole conductor in the solar cell which resulted in one of the pioneer publication in this field (see more at https://lioz.etgar.huji.ac.il/). Thanks to his collaboration with Prof. Małgorzata Wierzbowska from NL-3 Lab we will have the opportunity to hear about his work in the next Wednesday seminar.

Date: December 15, 2021 (Wednesday) at 3:00 pm.

Title "Two dimensional organic-inorganic perovskites from nanostructures to solar cells"

The seminar will be held in the hybrid mode at the New Technologies seminar room (Al. Prymasa Tysiąclecia 98) as well as on Zoom platform. Please contact us at sawicka@unipress.waw.pl to get the link to the meeting.

Looking forward to seeing you!

Best regards,

Czeslaw Skierbiszewski

Marta Sawicka

Na stronie Journal of Molecular Liquids (IF = 6.2) dostępna jest już publikacja  [A. Drozd-Rzoska, S. J. Rzoska, A. Szpakiewicz-Szatan, S. Starzonek, J. Łoś, K. Orzechowski,  Supercritical anomalies in liquid ODIC-forming cyclooctanol under the strong electric field, J. Mol. Liq. 345, 117849 (2022)]

Pokazuje ona odkrycie daleko-zasięgowych efektów przedprzejściowych w fazie ciekłej cyclooctanolu, przy zbliżaniu się do fazy kryształu plastycznego (ODIC). Detekcja tego uważanego dotąd za nieistniejące, zjawiska była możliwa dzięki zastosowaniu dwóch metod związanych z działaniem silnego pola elektrycznego: nieliniowego efektu dielektrycznego (NDE) oraz elektrooptycznego efektu Kerra (EKE).

IHPP PAS was awarded by the Office of Naval Research Global with a second grant (N62909-21-1-2063). A three-year project titled ‘GaN substrates of the highest structural quality for high-power electronics’ started in September 2021.

This project is performed by the team working in the Crystal Growth Laboratory at IHPP PAS and is led by the head of the laboratory: Prof. Michal Bockowski. The work will be performed in close cooperation with our colleagues at Naval Research Laboratory in US.

The main objectives of this project is to develop the ammonothermal technology in order to obtain the highest structural quality 2-inch gallium nitride (GaN) substrates and to improve the crystallization from gas phase to deposit homo-epitaxial layers of the highest purity on the mentioned substrates.

The best technology for growing bulk GaN, in terms of structural quality, is ammonothermal. N-type Am-GaN substrates can be applied for building electronic Field Effect Transistors (FETs). This kind of devices require a GaN layer of the highest structural quality and purity. Gallium nitride of the highest purity can only be achieved by halide vapor phase epitaxy (HVPE). Therefore, a combination of the HVPE technology with Am-GaN substrates is the best path to achieve GaN-on-GaN structures of the highest crystallographic quality and the lowest donors and acceptors concentrations in the epitaxial layers.

Serdeczne gratulacje za doktorat z wyróżnieniem !

W dniu 28 września, za pracę: Physical mechanisms determining the maximum optical power emitted from InGaN laser diodes, Rada Naukowa IWC PAN nadała Szymonowi Stańczykowi stopień doktora nauk przyrodniczych i ścisłych w dyscyplinie FIZYKA.

Rada Naukowa, na wniosek Komisji Doktorskiej oraz w wyniku dyskusji popartej wynikami tajnego głosowania, wyróżniła rozprawę dr inż. Szymona Stańczyka.

Gratulacje!

Praca doktorska dr inż. Szymona Stańczyka dotyczy fizyki i technologii diod laserowych zbudowanych na  bazie  półprzewodników III-N. Praca ta jest szerokim omówieniem zjawisk fizycznych  limitujących sprawność takich przyrządów, eksplorując zarówno efekty światłowodowe, wzmocnienie optyczne jak efekty termiczne. Do wyróżniających się elementów tej rozprawy należy chyba pierwszy gruntowny opis działania półprzewodnikowych wzmacniaczy światła na bazie InGaN oraz analiza działania laserów InGaN z rozłożonym sprzężeniem zwrotnym. W obu przypadkach prace dr Stańczyka wniosły wiele do ustanowienia obecnego „state of the art” w tych dziedzinach.