Institute of High Pressure Physics

How does the GaN surface change during molecular beam epitaxy and how to imagine the movement of atomic steps? We can trace it using electrochemical etching that is sensitive to doping level. The image presents a side-view of GaN:Si layer after etching with pores that are distributed (a) uniformly or (b) non-uniformly, depending on how the silicon atoms incorporated into the layer. We see that step-bunching during epitaxy induces inhomogeneous incorporation of Si dopant in GaN on nanometer scale. (Read more… ).

Find out more in:  „Revealing inhomogeneous Si incorporation into GaN at the nanometer scale by electrochemical etching” M. Sawicka, N. Fiuczek, H. Turski, G. Muziol, M. Siekacz, K. Nowakowski-Szkudlarek, A. Feduniewicz-Żmuda, P. Wolny, and C. Skierbiszewski, Nanoscale 12, 6137 (2020).
http://dx.doi.org/10.1039/C9NR10968D. You are also welcome to contact the MBE group.

W styczniu 2020 r. w czasopiśmie Scientific Reports ukazała się praca dyskutująca mechanizmy rekombinacji w InGaN-owych studniach kwantowych wzrastanych na podłożach GaN o różnej polarności, a co za tym idzie o różnym wbudowanym polu elektrycznym. Naukowcy z grupy NL-15 IWC PAN we współpracy z kolegami z Politechniki Wrocławskiej zbadali wpływ fluktuacji indu oraz wbudowanego pola elektrycznego na własności optyczne studni kwantowych.

Link: https://www.nature.com/articles/s41598-020-58295-x

Rezultatem tej pracy jest stwierdzenie, że fluktuacje w skali nanoskopowej występują zarówno w polarnych jak i półpolarnych strukturach kwantowych InGaN/GaN, natomiast dla obu typów polarności, zdecydowanie różnią się wkłady do rekombinacji promienistej takich mechanizmów jak rekombinacja ekscytonowa  i rekombinacja plazmy elektrono-dziurowej. Ważnym wynikiem jest pokazanie, że rekombinacja niepromienista skaluje się z polem elektrycznym w sposób podobny do rekombinacji promienistej, utrzymując wewnętrzną sprawność kwantową na zbliżonym poziomie.