Events
Nowe rozwiązania w laserach PA MBE Thursday, 29 September 2016 14:26 |
Artykuł z Applied Physics Express zaprezentowany w Semiconductor Today!Ostatnio nasi Koledzy (Grzegorz Muzioł - pierwszy Autor) opublikowali pracę w APEX o nowatorskim sposobie na całkowitą eliminację problemu wyciekania światła z falowodu do podłoża GaN w diodach laserowych. Eliminacja wyciekania światła ma kluczowe znaczenie w uzyskaniu wysokiej jakości wiązki optycznej niezbędnej w komercjalizacji przyrządów.
Na rysunku przedstawiono wiązkę diody laserowej cierpiącej ze względu na wyciekanie światła do podłoża (b) i wiązkę lasera bez wyciekania światła (c). Artykuł ten wzbudził bardzo duże zainteresowanie i został zaprezentowany w prestiżowym Semiconductor Today! GRATULACJE! E-MRS 2016 Fall MeetingMonday, 26 September 2016 06:47 |
W dniach 19-22 września w Warszawie odbyła się konferencja E-MRS 2016 Fall Meeting.
Dwie sesje: F: AlN and AlGaN materials and devices i G: Nitride semiconductors for high power and high frequency electronic devices II organizowane zostały przy współudziale naszych pracowników: Piotra Perlina i Michała Boćkowskiego. Seminarium Fizyki Ciała Stałego na Wydziale Fizyki Uniwersytetu WarszawskiegoMonday, 26 September 2016 06:51 |
W dniu 14 października o godzinie 10.15 na Wydziale Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego (Pasteura 5; sala 006) Michał Boćkowski znany również jako Bocko-sensei wygłosi wykład pt. Wzrost objętościowych kryształów azotku galu. Podczas wykładu omówione i porównane zostaną trzy podstawowe metody krystalizacji objętościowego azotku galu (GaN): wzrost z fazy gazowej - Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE), krystalizacja z roztworu gal-sód (tzw. metoda sodowa) oraz wzrost w nadkrytycznym amoniaku (metoda amonotermalna). Przedstawione zostaną wady i zalety omawianych metod oraz podstawowe własności otrzymywanego materiału. Wydaje się, że synergia zalet trzech prezentowanych metod stwarza nowe, atrakcyjne możliwości wydajnej produkcji objętościowych kryształów GaN. Zostanie to pokazane na przykładzie krystalizacji HVPE na zarodziach otrzymywanych metodą amonotermalną. Serdecznie zapraszamy! |
Konferencja ICPSCG10Monday, 26 September 2016 06:57 |
W dniach 16-21 października w Zakopanem odbędzie się konferencja ICPSCG10 (10th International Conference on Polish Society for Crystal Growth).
Ze strony naszego Instytutu referat zaproszony pt. Growth of bulk GaN wygłosi Michał Boćkowski, znany również jako Bocko–sensei. Konferencja IWN 2016 - udział IWC PANMonday, 26 September 2016 06:32 |
W dniach 2-7 października 2016, w Orlando (Floryda) odbędzie się jedna z dwóch głównych konferencji na temat półprzewodników azotkowych, IWN 2016 (International Workshop on Nitride Semiconductors). Konferencja gromadzi około 1000 uczestników, odbywa się co dwa lata i cyklicznie krąży pomiędzy Europą, Ameryką i Azją. Dotyczy zarówno opisu otrzymywania jak i fundamentalnych własności fizycznych kryształów, struktur kwantowych, przyrządów optoelektronicznych i elektronicznych wykorzystujących GaN, AlN, InN oraz ich stopy.
Instytut Wysokich ciśnień, PAN ma znaczący udział w organizacji tej konferencji oraz będzie wyraźnie widoczny podczas jej przebiegu. Izabella Grzegory i Izabela Gorczyca zostały zaproszone do Komitetu Programowego IWN 2016. Obie Panie będą kierowały sympozjami na temat odpowiednio wzrostu kryształów objętościowych oraz teorii. Tadeusz Suski należy do Międzynarodowego Komitetu Doradczego IWN. Znaczna ilość pracowników Instytutu przedstawi referaty na tej Konferencji. Michał Boćkowski został zaproszony do wygłoszenia referatu zaproszonego na temat wzrostu kryształów GaN. Pozostali „prezenterzy” to: Iza Grzegory, Iza Gorczyca, Julita Smalc-Koziorowska, Anna Kafar, Ewa Grzanka, Grzegorz Staszczak, Grzegorz Muzioł, Szymon Grzanka, Szymon Stańczyk, Krzysztof Gibasiewicz, Tadeusz Suski, Piotr Perlin, Henryk Turski, Marcin Siekacz i Tomasz Sochacki. |
|
|
