Projekt FENG - struktury GaN/AlGaN/SiC
| Informacje ogólne - News |
Narodowe Centrum Badań i Rozwoju jako Instytucja Pośrednicząca dla Priorytetu I FENG 2021 zakończyła ocenę projektów złożonych w naborze nr FENG.01.01-IP.01-005/23 – Ścieżka SMART Projekty realizowane w konsorcjach. O projekty wnioskowały konsorcja z udziałem, lub bez udziału dużego przedsiębiorcy. W tej drugiej kategorii, na pierwszym miejscu listy rankingowej dofinansowanych projektów znalazł się projekt realizowany w konsorcjum SEEN Semiconductors Sp. z o. o. oraz grupa Prof. Michała Leszczyńskiego z NL-12 Laboratorium Badań Mikrostrukturalnych Półprzewodników.
W ramach naboru złożono 566 wniosków o dofinansowanie, a 51 wniosków na kwotę 686 870 078,42 PLN zostało wybranych do dofinansowania.
Tytuł Projektu: Przewodzące struktury GaN/AlGaN/SiC do konstrukcji nowych generacji elektronicznych przyrządów wertykalnych. Akronim Projektu: "TranzGaN"
Celem projektu jest opracowanie technologii wzrostu bufora przewodzącego AlGaN:Si na podłożach SiC metodą MOVPE. W tym celu zostanie przeprowadzona optymalizacja przepływu reagentów, temperatury, ciśnieniu wzrostu oraz dezorientacji podłoży SiC. Rezultatem tego ma być przygotowanie warstwy bufora o dobrej przewodności elektrycznej i jak najmniejsza gęstości dyslokacji w warstwie GaN wzrośniętej na tym buforze. Pozwoli to na produkcję epitaksjalnych struktur przyrządów wertykalnych jak tranzystory CAVET, diody p-i-n czy diody laserowe co znacznie poszerzy doświadczenie naukowe Instytutu.
Wartość projektu: 4 455 429,57 zł
Wysokość wkładu Funduszy Europejskich: 3 752 662,00 zł
