Defekty punktowe w podłożu niebezpieczne dla studni kwantowych. Dowody eksperymentalne w Scientific Reports.
| General information - News |
W dniu 28.01.2021 r. ukazała się praca Kolegów z NL-12, którzy we współpracy z dr. Grzegorzem Gawlikiem z Łukasiewicz - IMiF i prof. Andrzejem Turosem z NCBJ, przedstawili w bardzo elegancki i przekonujący sposób, dowody eksperymentalne na wpływ defektów punktowych w warstwie podłoża na rozkład studni kwantowych InGaN w wysokich temperaturach.
W opisanym eksperymencie użyto dwóch podłoży GaN:Si/szafir, z których jedno zostało zaimplantowane jonami helu w celu wytworzenia znacznej ilości defektów punktowych. Studnie kwantowe InGaN/GaN wytworzone metodą MOCVD na obu podłożach (nieimplantowanym i implantowanym) były niemal identyczne. Struktury te zostały następnie poddane serii wygrzewań w temperaturach typowych dla wzrostu GaN typu p metodą MOCVD. Wyniki badań fotoluminescencji (PL), dyfrakcji rentgenowskiej (XRD) oraz transmisyjnej mikroskopii elektronowej (TEM) jednoznacznie wskazały na istotną rolę defektów punktowych w dekompozycji termicznej studni kwantowych z dużą zawartością indu.
Artykuł został opublikowany w Scientific Reports:
